strain gage animation

English

半導体トランスジューサー・エレメント"AE801"

semiconductor transducer elements

   概要

ノルウェーのAME社製(AKSJESELSKAPET MICRO-ELEKTRONIKK)800シリーズの中から特に厳選された半導体ひずみゲージトランスジューサエレメント"AE801"は 、力、圧力、変位、加速度、角度等の物理量を電気信号に変換する 極めてユニークな高感度トランスジューサエレメントです。 このエレメントは両面にプレナー型拡散半導体をもつシリコンビームとハーメッチックホルダー及びリード線で構成されています。シリコンビームの変位はビーム両面の拡散半導体に抵抗変化を与え、ビームの変位に応じて直線的に変化します。トランスジューサエレメントはP型の抵抗物質をN型の物質の中に拡散させたもので、即ち、シリコンビームの両端にプレナー型構造の半導体が拡散され、特別なハーメチックホルダーに装着されています。また、ビーム変位により拡散された半導体の抵抗は片側が増加し他面は減少します。これらの2個のアクティブな抵抗と2個の固定抵抗でひずみ測定のためのホイートストンブリッジを構成します。

  • 特長:低インピーダンス・高出力・超小形・高応答性・取扱いが容易
  • アプリケーション:圧力トランスジューサ・ロードセル・変位トランスジューサ・加速度計・傾斜計他

仕様・規格

ブリッジ電圧   <6 V
ゲージ抵抗   1000 Ω±25 %
抵抗偏差   10 %以内
半導体ゲージの温度係数   0.0008 /℃±25%
出力   35 mV/V
エレメントの温度係数   <0.005 %RO/℃
半導体ゲージのゲージ率   50〜70
ゲージ率の温度係数   −0.002/℃
弾性係数   16000kgf/mm²
最大消費電力   4mW/℃(油中)
    1mW/℃(空中)
固有振動数   約7 kHz
<寸 法>  
ホルダー長さ   5 mm
ホルダー径   Φ1.8 mm
ビーム長さ   5 mm
  1 mm
厚さ   0.15 mm

 

測定回路

AE801 measuring circuit

トランスジューサエレメント"AE801"は 、左図のようにブリッジ回路の一辺にバランス抵抗"Ry"を挿入しますと無負荷時のアンバランス出力をキャンセルすることが可能です。 また、具体的な使用方法および測定回路については技術情報(AE801)をご参照下さい。尚、ご不明な点は当社営業所までお問い合わせ下さい。

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